半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供可厚膜化、翘曲小、且漏泄电流小的半导体元件。其包括：基板、在基板的上方形成的第一缓冲区、在第一缓冲区上形成的第二缓冲区、在第二缓冲区上形成的活性层、在活性层上形成的至少两个电极；第一缓冲区至少包括一层依次层积有第一半导体层、第二半导体层的复合层；第二缓冲区至少包括一层依次层积有第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层的复合层；第四半导体层的晶格常数具有第三半导体层与第五半导体层之间的晶格常数。

主权项

一种半导体元件，其包括：基板、在所述基板的上方形成的第一缓冲区、在所述第一缓冲区上形成的第二缓冲区、在所述第二缓冲区上形成的活性层、在所述活性层上形成的至少两个电极；所述第一缓冲区至少包括一层复合层，该复合层依次层积具有第一晶格常数的第一半导体层、具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数的第二半导体层；所述第二缓冲区至少包括一层复合层，该复合层依次层积具有与所述第一晶格常数大体上相等的第三晶格常数的第三半导体层、具有第四晶格常数的第四半导体层、以及具有与所述第二晶格常数大体上相等的第五晶格常数的第五半导体层；所述第四晶格常数，具有所述第三晶格常数与所述第五晶格常数之间的值。