| 摘要 |
Laserausheil- bzw. -annealingsysteme und Verfahren zum Ausheilen bzw. Annealing eines Halbleiterwafers mit ultrakurzen Halte- bzw. Verweilzeiten werden offenbart. Die Laserausheil- bzw. -annealingsysteme können ein oder zwei Laserstrahlen umfassen, die zumindest teilweise überlappen. Einer der Laserstrahlen ist ein Vorheizlaserstrahl und der andere Laserstrahl ist der Ausheil- bzw. Annealinglaserstrahl. Der Ausheil- bzw. Annealinglaserstrahl scannt ausreichend schnell, so dass die Halte- bzw. Verweilzeit im Bereich von etwa 1 μs bis etwa 100 μs liegt. Diese ultrakurzen Verweil- bzw. Haltezeiten sind verwendbar für Ausheil- bzw. Annealingproduktwafer, gebildet aus dünnen Vorrichtungswafern, weil sie verhindern, dass die Vorrichtungsseite des Vorrichtungswafers durch Hitze während dem Ausheil- bzw. Annealingverfahren beschädigt wird. Ausführungsformen von Einzellaserstrahlausheil- bzw. -annealingsystemen und -verfahren werden ebenfalls offenbart. |
