发明名称 半导体装置
摘要 本发明可使具有下述构成之半导体装置之可靠性提高,即,将平面尺寸不同之复数个半导体晶片间隔具有黏着性之绝缘膜,以堆叠之状态收纳于相同密封体内。上述半导体装置1A具有如下构成,即,将平面尺寸不同之复数个半导体晶片2M1、2M2、2C间隔DAF5a~5c,以堆叠之状态收纳于相同密封体4内,且于上述半导体装置1A中,使形成有控制电路之最上方半导体晶片2C之背面的DAF5c之厚度,大于形成有记忆体电路之下层半导体晶片2M1、2M2之背面的DAF5a、5b各自之厚度。藉此,可减少用以连接最上方之半导体晶片2C和配线基板3之接线与下层半导体晶片2M2之主面角部之接触不良情形。
申请公布号 TWI419240 申请公布日期 2013.12.11
申请号 TW096124032 申请日期 2007.07.02
申请人 瑞萨电子股份有限公司 日本 发明人 菊池卓;金本光一;宫崎忠一;盐月敏弘
分类号 H01L21/58;H01L25/04 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本