发明名称 |
记忆体阵列之局部位元线缺陷之检测方法 |
摘要 |
一种用于检测记忆体阵列之制造上的缺陷之方法,包括利用检测电路以提供一选择电压,选择电压作为记忆体阵列之位元线上的汲极偏压以进行读取操作,记忆体阵列系设置以利用第一电压作为汲极偏压,且选择电压系高于第一电压,并且,判断是否存在一漏电流响应于选择电压作为汲极偏压,此漏电流之存在表示记忆体阵列之位元线以及记忆体阵列之另一元件之间的制造缺陷。此外,亦提供一相对应于此检测方法之检测装置。 |
申请公布号 |
TWI418813 |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
TW100112487 |
申请日期 |
2011.04.11 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
黄胤津;黄楚邦;张逸凡;刘正淇;杨长展;李敏光 |
分类号 |
G01R31/02 |
主分类号 |
G01R31/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
|
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |