半导体晶片之制造方法、半导体用黏接薄膜及使用其之复合片

摘要

本发明提供一种可以充分抑制晶片龟裂(Chip crack)或毛刺(Blurr)之发生，同时可由半导体晶圆获得高良品率的半导体晶片之方法。;半导体晶片之制造方法具备：积层体的准备步骤，该积层体系依半导体晶圆，半导体用黏接薄膜与切割带(Dicing tape)之顺序被积层，以半导体晶圆被分割成多个半导体晶片，同时半导体用黏接薄膜之厚度方向之一部分不被切断而残留的方式形成有切槽者；以及切割步骤，藉由将切割带朝多个半导体晶片互相分离之方向拉伸，将半导体用黏接薄膜沿着切槽予以分割。半导体用黏接薄膜具有小于5%之拉伸断裂伸长率，该拉伸断裂伸长率为小于最大荷重时之伸长率的110%。