具有埋置选择闸极之非依电性记忆体晶胞及其制造方法

摘要

一记忆体装置，及其制造方法，其中一沟道形成于一半导体基板之表面内。源极与汲极区界定在其等之间的一通道区。该汲极形成于该沟道下面。该通道区包括一沿该沟道之一底壁延伸之第一部分，一沿该沟道之一侧壁延伸之第二部分，及一沿该基板之该表面延伸之第三部分。该浮动闸极被配置于该通道区第三部分上。该控制闸极被配置于该浮动闸极上。该选择闸极至少部分地被配置于该沟道内且与该通道区第一与第二部分相邻。该抹除闸极被配置与该浮动闸极相邻且与之绝缘。