发明名称 多参量硅压阻差压传感器一体化基座
摘要 本发明公开多参量硅压阻差压传感器一体化基座,包括壳体(1),壳体(1)沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体的引线脚(7),壳体(1)的顶部沿轴向分别设有充油孔(2)与芯片安装孔(3),充油孔(2)内沿轴向设有正压腔充油管(5),芯片安装孔(3)内沿轴向设有负压腔充油管(6);壳体(1)沿径向设有贯通壳体的导油孔(4),导油孔(4)与芯片安装孔(3)相连通;充油孔(2)与正压腔充油管(5)形成正压力传导腔;导油孔(4)、芯片安装孔(3)与负压腔充油管(6)形成了负压力传导腔,使固定在芯片安装孔(3)上方的硅压阻传感器芯片感应到压力差,从而测量出多参量的信号,且该基座壳体(1)采用一体化成型,密封性好,整体性能高。
申请公布号 CN103438919A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310417156.5 申请日期 2013.09.13
申请人 蚌埠市创业电子有限责任公司 发明人 王维东
分类号 G01D11/00(2006.01)I 主分类号 G01D11/00(2006.01)I
代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人 杨晋弘
主权项 多参量硅压阻差压传感器一体化基座,包括壳体(1),壳体(1)沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体(1)的引线脚(7),其特征在于,所述壳体(1)的顶部沿轴向分别设有充油孔(2)与芯片安装孔(3);所述充油孔(2)内沿轴向设有正压腔充油管(5),芯片安装孔(3)内沿轴向设有负压腔充油管(6);所述壳体(1)沿径向设有贯通壳体(1)的导油孔(4),导油孔(4)与芯片安装孔(3)相连通。
地址 233010 安徽省蚌埠市高新技术开发区黄山大道8318号