半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其中，在生长衬底上形成部分地覆盖生长衬底的选择性生长掩模；在该生长衬底上未被该掩模覆盖的非掩模部上形成比该掩模更厚的缓冲层，并在该缓冲层的表面上暴露出预定的小面；使用该缓冲层作为起点使半导体膜横向生长，并且在掩模的上部上形成空腔的同时形成覆盖该掩模的横向生长层；以及在横向生长层上外延生长器件功能层。空腔形成步骤包括以第一生长速率生长半导体膜的第一步骤和以与该第一生长速率彼此不同的另一个生长速率生长另一个半导体膜的第二步骤，其中，该第一步骤和该第二步骤以交替方式执行多次。

主权项

一种使用有机金属气相生长方法来制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在生长衬底上形成部分地覆盖该生长衬底的选择性生长掩模；再沉积层形成步骤，其中，使所述掩模的构成材料脱离并再沉积于所述生长衬底上未被所述掩模覆盖的非掩模部上；在所述生长衬底上的具有所述再沉积层的所述非掩模部中形成厚度比所述掩模的厚度更大并在表面上具有小面的缓冲层；空腔形成步骤，在所述缓冲层上生长横向生长层并且在所述掩模的上部上形成空腔，所述空腔形成步骤包括以第一生长速率生长半导体膜的第一步骤和以与该第一生长速率彼此不同的另一个生长速率生长另一个半导体膜的第二步骤，该第一步骤和该第二步骤以交替方式执行多次；在所述横向生长层上外延生长器件功能层；将支撑衬底与所述器件功能层进行接合；以及使得蚀刻剂流入所述空腔中以去除所述掩模和所述再沉积层并剥离掉所述生长衬底。