金属氧化物半导体晶体管结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管结构及其制作方法。金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包含有下列步骤：首先，提供基底包含N型井和P型井，之后，形成第一栅极于该N型井以及第二栅极于该P型井，接着，形成第三间隙壁于该第一栅极上，然后，分别形成外延层于该第一栅极的两侧的该基底中，之后，形成第四间隙壁于该第二栅极上，之后，分别形成硅覆盖层于该外延层的表面和该第四间隙壁的两侧的该基底表面，然后，分别形成第一源极/漏极掺杂区于该第一栅极的两侧的该基底中以及分别形成第二源极/漏极掺杂区于该第二栅极的两侧的该基底中。

主权项

一种金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包含：提供基底包含第一型井和第二型井；形成第一栅极于该第一型井以及第二栅极于该第二型井上；形成第三间隙壁于该第一栅极上；分别形成外延层于该第一栅极的两侧的该基底中；形成第四间隙壁于该第二栅极上；分别形成硅覆盖层于这些外延层的表面和该第四间隙壁的两侧的该基底表面；形成第一源极/漏极掺杂区于该第一栅极的两侧的该基底中；以及形成第二源极/漏极掺杂区于该第二栅极的两侧的该基底中，其中该硅覆盖层为单晶硅。