具有栅电极的碳化硅半导体器件

摘要

根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。

主权项

一种半导体器件，包括：包含碳化硅的半导体衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；栅电极，所述栅电极附设在所述衬底的所述第一表面的一部分上；漏电极，所述漏电极附设在所述衬底的所述第二表面上；介电层，所述介电层附设在所述栅电极上；矫正层，所述矫正层围绕所述介电层附设，其中所述矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，以使阈值电压的变化小于约1伏；以及源电极，所述源电极附设在所述矫正层上，其中所述源电极电耦合到所述半导体衬底的接触区域。