发明名称 三维存储器模块架构
摘要 本发明的各个实施例涉及堆叠的存储器模块。在本发明的一个实施例中,存储器模块(100,600,1200,1400)包括至少一个存储器-控制器层(102,602,1204,1402),该存储器-控制器层与至少一个存储器层相堆叠。细小间距的贯通孔(例如硅贯通孔)(114,116)穿过该叠层与该至少一个存储器控制器的表面近似垂直地延伸,从而在该至少一个存储器控制器(401-404)和该至少一个存储器层之间提供电子通信。此外,存储器-控制器层包括至少一个外部接口,该接口被配置为向存储器模块传输数据并从存储器模块传输数据。另外,存储器模块可包括光学层(602,1202)。光学层可包括在该叠层中,并具有总线波导,该总线波导用来向该至少一个存储器控制器传输数据并从该至少一个存储器控制器传输数据。该外部接口可以是与光学层对接的光学外部接口。
申请公布号 CN101836257B 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN200880112836.3 申请日期 2008.10.23
申请人 惠普开发有限公司 发明人 M·麦克莱伦;J·H·安;A·L·戴维斯;N·L·宾克特;N·P·茹皮
分类号 G11C5/02(2006.01)I 主分类号 G11C5/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李娜;王洪斌
主权项 一种存储器模块(100,600,1200,1400),包括:存储器‑控制器层(102,602,1204,1402),其包括至少一个存储器控制器;与该存储器‑控制器层堆叠在叠层中的至少一个存储器层(105‑112);至少一组贯通孔(114,116,208,210),其穿过所述叠层近似垂直于该至少一个存储器控制器(401‑404)的表面,其中该至少一组贯通孔在该至少一个存储器控制器与该至少一个存储器层之一之间提供电子通信,其中所述存储器模块进一步包括:与该至少一个存储器层和存储器‑控制器层堆叠在所述叠层中的光学层(602,1202);和至少一个电光接口(704‑707),所述至少一个电光接口(704‑707)位于所述光学层和所述存储器‑控制器层二者内。
地址 美国德克萨斯州