| 摘要 |
Struktura lasera pólprzewodnikowego posiadajaca monokrystaliczne lub epitaksjalne podloze GaN, GaAlN, InGaN, AlInN lub AlInGaN, falowód oraz obszar czynny wykonany z warstw tlenkowych ZnO, trzyskladnikowych lub czteroskladnikowych warstw pochodnych wzgledem ZnO, w postaci warstw epitaksjalnych tworzacych studnie kwantowe lub warstw zawierajacych kropki kwantowe lub nanodruty charakteryzuje sie tym, ze falowód (6) struktury jest przestrzennie odseparowany od obszaru aktywnego (5) i tworzy go warstwa o wspólczynniku zalamania wiekszym niz 2,6 znajdujaca sie w odleglosci mniejszej niz 200 nm nad ostatnia studnia kwantowa obszaru czynnego (5) lub nad warstwa zawierajaca kropki kwantowe lub nanodruty tego obszaru, przy czym grubosc warstwy (6) wynosi od 2 do 200 nm. |
