PROCEDE ET SYSTEME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE

摘要

L'invention porte sur un procédé d'obtention d'une tranche en matériau semi-conducteur à partir d'un substrat donneur en un premier matériau semi-conducteur et comprenant dans son épaisseur une zone de fragilisation, caractérisé en ce qu'il comprend : le dépôt (320) d'un deuxième matériau semi-conducteur à l'état liquide simultanément sur une pluralité de zones (310) d'une face (101) du substrat donneur; l'étalement du deuxième matériau semi-conducteur à l'état liquide jusqu'à former une couche sur ladite face (101) du substrat donneur; la solidification au moins partielle de la couche du deuxième matériau semi-conducteur déposé pour épaissir le substrat donneur; la séparation du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation. L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un panneau photovoltaïque et sur un système permettant de mettre en oeuvre le procédé d'obtention du substrat.