Mit einem Gate versehene Diode, Batterieladeanordnung und Generatoranordnung

摘要

Die Erfindung betrifft eine mit einem Gate versehene Diode, die Sourcebereiche und einen Drainbereich umfasst, welche beide den gleichen Ladungsträgertyp aufweisen. Die Sourcebereiche grenzen direkt an eine erste Fläche eines Halbleiter-Dies an und der Drainbereich grenzt direkt an eine gegenüberliegende zweite Fläche des Halbleiter-Dies an. Der Drainbereich umfasst einen Driftbereich, welcher in einer Epitaxieschicht des Halbleiter-Dies gebildet ist. Basisbereiche eines zweiten Ladungsträgertyps, welcher zu dem ersten Ladungsträgertyp entgegengesetzt ist, sind zwischen den Drainbereichen und den Sourcebereichen vorgesehen. Der Driftbereich umfasst ferner Anpassungsbereiche, die direkt an einen Basisbereich angrenzen und zwischen einem entsprechenden Basisbereich und der zweiten Fläche angeordnet sind. Eine Nettodotierkonzentration in dem Anpassungsbereich ist zumindest das zweifache der Nettodotierkonzentration in dem zweiten Unterbereich. Die Anpassungsbereiche legen in genauer Weise die Durchbruchspannung in Sperrrichtung fest.