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Bipolarer Flächentransistor mit: mehreren Basisanschlussringen (105), die einen Emitteranschlussring (110) zwischen jeweils zwei Basisanschlussringen (105) der mehreren Basisanschlussringe (105) haben; und einem Kollektoranschlussring (115), der die mehreren Basisanschlussringe (105) und den Emitteranschlussring umgibt, wobei die mehreren Basisanschlussringe (105) und der Emitteranschlussring (110) in einer n-Wanne ausgebildet sind.
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