发明名称 |
显示装置 |
摘要 |
根据一个实施例,一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、像素电极、有机发光层、公共电极和密封单元。在所述衬底上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述公共电极设置在所述有机发光层上。所述密封单元设置在所述公共电极上。该密封单元包括第一密封膜和第二密封膜。所述第二密封膜的折射率不同于所述第一密封膜的折射率。 |
申请公布号 |
CN103426899A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310052739.2 |
申请日期 |
2013.02.18 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齐藤信美;坂野龙则;山口一 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种显示装置,包括:衬底;设置在所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:设置在所述衬底上的栅电极;设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜;设置在所述栅极绝缘膜上的半导体膜;电连接至所述半导体膜的第一导电部分;以及电连接至所述半导体膜且设置为远离所述第一导电部分的第二导电部分;电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一的像素电极;设置在所述像素电极上的有机发光层;设置在所述有机发光层上的公共电极;和设置在所述公共电极上的密封单元,所述密封单元包括:第一密封膜,其具有1020个原子/cm3或小于1020个原子/cm3的氢浓度;以及第二密封膜,其堆叠在所述第一密封膜上且具有1020个原子/cm3或小于1020个原子/cm3的氢浓度,所述第二密封膜的折射率不同于所述第一密封膜的折射率。 |
地址 |
日本东京 |