| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供减少了漏电流的氮化物类半导体元件及其制造方法。提供一种半导体元件，其包括衬底,在衬底上方形成的缓冲区,在缓冲区上形成的活性层,在活性层上形成的至少2个电极，缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层，在缓冲区表面提供比衬底背面低的电位，使衬底背面与缓冲区表面之间的电压在与缓冲区的膜厚相应的范围变化时的衬底背面与缓冲区表面之间的电容大体上固定。 | ||
| 申请公布号 | CN103430295A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201280011372.3 | 申请日期 | 2012.05.10 |
| 申请人 | 先进动力设备技术研究协会 | 发明人 | 古川拓也;加藤祯宏;岩见正之;内海诚;梅野和行 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其中，具有：衬底，在所述衬底上方形成的缓冲区，在所述缓冲区上形成的活性层，和在所述活性层上形成的至少2个电极；所述缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层；在所述缓冲区表面提供比所述衬底背面低的电位，使所述衬底背面与所述缓冲区表面之间的电压在与所述缓冲区的膜厚相应的范围变化时的所述衬底背面与所述缓冲区表面之间的电容大体上固定。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||