相变存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的接触插塞；在所述层间介质层上形成覆盖所述接触插塞的绝缘介质层；在所述绝缘介质层内形成碗状开口，所述碗状开口的底部露出所述接触插塞；在所述碗状开口内形成相变层。本发明的方法形成的相变存储器的相变电流小，功耗低。

主权项

一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的接触插塞；在所述层间介质层上形成覆盖所述接触插塞的绝缘介质层；在所述绝缘介质层内形成碗状开口，所述碗状开口的底部露出所述接触插塞；所述在所述绝缘介质层内形成碗状开口包括：在所述绝缘介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内形成有开口，所述开口的位置与所述接触插塞的位置对应；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述绝缘介质层进行刻蚀，所述刻蚀为湿法刻蚀，在所述绝缘介质层内形成碗状开口，所述湿法刻蚀的刻蚀时间为刻蚀所述绝缘介质层所需时间的1.01～1.5倍，形成的所述碗状开口与所述接触插塞的接触面积为不超过所述接触插塞面积的1/3；去除所述硬掩膜层；在所述碗状开口内形成相变层。