| 发明名称 | LDMOS晶体管及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极；所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述作为源极的N+区及作为P阱接地极的P+区的下方的P阱中形成有一低阻P+区，所述低阻P+区同所述作为P阱接地极的P+区相连接，所述作为P阱接地极的P+区及所述低阻P+区的P掺杂浓度比所述P阱的P掺杂浓度高。本发明还公开了一种LDMOS晶体管的制造方法。本发明，能防止LDMOS晶体管因寄生的NPN管触发而被烧毁。 | ||
| 申请公布号 | CN103426927A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210162451.6 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 杨文清;邢军军;赵施华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极，其特征在于，所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述作为源极的N+区及作为P阱接地极的P+区的下方的P阱中形成有一低阻P+区，所述低阻P+区同所述作为P阱接地极的P+区相连接，所述作为P阱接地极的P+区及所述低阻P+区的P掺杂浓度比所述P阱的P掺杂浓度高。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||