铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法

摘要

提供了一种铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法，属于存储器技术领域。该铁电阻变存储器包括上电极(101)、下电极(103)以及设置于该上电极(101)和下电极(103)之间的用作存储层的铁电半导体薄膜层(102)；其中，该铁电半导体薄膜层(102)可被操作地通过铁电电畴产生二极管导通特性、并可被操作地通过该电畴的变化调制该二极管导通特性；该铁电阻变存储器根据该二极管导通特性的调制变化存储信息。该铁电阻变存储器具有结构简单、制备方法简单、可非破坏性读取、且非易失性存储的特点。

主权项

1.一种铁电阻变存储器，包括上电极和下电极，其特征在于，还包括设置于所述上电极和所述下电极之间的用作存储功能层的铁电半导体薄膜层；其中，所述铁电半导体薄膜层可被操作地通过电畴产生二极管导通特性、并可被操作地通过所述电畴的变化调制所述二极管导通特性在导通方向发生变化；所述铁电阻变存储器根据所述二极管导通特性在导通方向的调制变化存储信息。