磁控溅射设备及磁控管控制方法

摘要

本发明提供一种磁控溅射设备及磁控管控制方法，磁控溅射设备包括反应腔室、靶材、磁控管、驱动机构、磁控管定位单元以及控制装置，驱动机构与控制装置连接，并根据控制装置的控制信号控制磁控管的自转速度和公转速度，磁控管定位单元用于确定磁控管的初始位置，控制装置用于根据初始位置确定磁控管的运转周期，并根据运转周期控制控制驱动机构的自转速度和公转速度，从而在磁控管通过靶材各个位置次数不变的前提下，控制磁控管在靶材单位面积上停留的时间，以提高靶材的刻蚀均匀性。该磁控溅射设备可以提高靶材的利用率，从而降低磁控溅射设备的运行成本；而且可以减少更换靶材的时间，从而提高磁控溅射设备的使用率。

主权项

一种磁控溅射设备，包括反应腔室、靶材、磁控管、驱动所述磁控管自转和公转的驱动机构，所述靶材设置在所述反应腔室的顶部，所述磁控管设置在所述靶材的上方，在所述驱动机构的驱动下，所述磁控管扫描所述靶材的表面，所述驱动机构与所述控制装置连接，并根据所述控制装置的控制信号控制所述磁控管的自转速度和公转速度，其特征在于，所述磁控溅射设备，还包括：磁控管定位单元和控制装置，其中：所述磁控管定位单元，用于确定所述磁控管的初始位置；所述控制装置，用于根据所述初始位置，确定磁控管的运转周期，并根据所述运转周期控制所述驱动机构的自转速度和公转速度，从而在所述磁控管通过靶材各个位置次数不变的前提下，控制所述磁控管在所述靶材单位面积上停留的时间，使得所述磁控管在频繁经过的靶材区域的停留时间缩短，同时延长在运动轨迹稀疏的靶材区域的停留时间，以提高靶材的刻蚀均匀性。