发明名称 |
控制半导体封装中的翘曲的半导体器件和方法 |
摘要 |
本发明涉及控制半导体封装中的翘曲的半导体器件和方法。一种半导体器件具有衬底。在衬底的表面之上形成绝缘层。在衬底的表面之上安装半导体管芯。在半导体管芯周围的绝缘层中形成沟道。在半导体管芯与衬底之间和沟道中沉积底部填充材料。在半导体管芯之上安装散热器,散热器被热连接到衬底。在半导体管芯之上形成热界面材料。底部填充材料被沿着半导体管芯的第一边缘且沿着与第一边缘相对的半导体管芯的第二边缘沉积在半导体管芯与衬底之间。沟道部分地延伸通过在衬底之上形成的绝缘层,绝缘层保持沟道的占位空间内的衬底之上的覆盖。 |
申请公布号 |
CN103426835A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310157925.2 |
申请日期 |
2013.05.02 |
申请人 |
新科金朋有限公司 |
发明人 |
崔大植;梁正忍;朴相美;权元一;朴利洙 |
分类号 |
H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/29(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
徐红燕;卢江 |
主权项 |
一种制作半导体器件的方法,包括:提供衬底;在衬底的表面之上形成绝缘层;将半导体管芯设置在衬底的表面之上;在半导体管芯周围的绝缘层中形成沟道;将底部填充材料沉积在半导体管芯与衬底之间和沟道中;以及将散热器设置在半导体管芯之上,散热器被热连接到衬底。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |