发明名称 曝光方法、曝光装置、聚光图案形成组件、掩膜以及元件制造方法
摘要 一种曝光方法,可转印微细图案。该曝光方法包括第1曝光步骤以及第2曝光步骤,其中,上述第1曝光步骤是对以接近于基板(P)的方式而配置的掩膜(10)照射曝光光,将形成于该掩膜上的规定的图案曝光于基板上,上述第2曝光步骤是对以接近于上述基板的方式而配置、且具备多个聚光部(20a、20b)的聚光图案形成组件(20)照射曝光光,将规定形状的聚光图案曝光于上述基板上。经上述第1曝光步骤而曝光的规定的图案的至少一部分、与经上述第2曝光步骤而形成的上述聚光图案的至少一部分相重叠。
申请公布号 CN101617274B 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN200880005543.5 申请日期 2008.03.26
申请人 株式会社尼康 发明人 登道男
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁
主权项 一种曝光方法,其特征在于其包括以下步骤:第1曝光步骤,对配置成接近基板的掩膜照射曝光光,将形成于上述掩膜上的规定的图案曝光于上述基板上;以及第2曝光步骤,对配置成接近上述基板且具备多个聚光部的聚光图案形成组件照射曝光光,将规定形状的聚光图案曝光于上述基板上,经上述第1曝光步骤而曝光于上述基板上的上述规定的图案的至少一部分、与经上述第2曝光步骤而形成于上述基板上的上述聚光图案的至少一部分相重叠。
地址 日本东京
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