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发明名称
POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED PERFORMANCE AND METHOD
摘要
In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes an offset body region.
申请公布号
KR101332590(B1)
申请公布日期
2013.12.02
申请号
KR20070027021
申请日期
2007.03.20
申请人
发明人
分类号
H01L29/78
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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