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发明名称
薄膜电晶体的制作方法
摘要
一种薄膜电晶体的制作方法。于一基材上形成一闸极、一源极以及一汲极。于基材上形成一闸绝缘层,以覆盖闸极并隔绝闸极与源极以及闸极与汲极。于闸绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层。于基材上形成一含氢的氮化矽层,以覆盖源极、汲极以及具有绝缘特性的金属氧化物材料层。形成含氢的氮化矽层的方法包括进行一沉积程序,且于结束沉积程序之前,于沉积程序中通入一矽烷气体以使具有绝缘特性的金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。
申请公布号
TWI418035
申请公布日期
2013.12.01
申请号
TW100105646
申请日期
2011.02.21
申请人
中华映管股份有限公司 桃园县八德市和平路1127号
发明人
姜信铨;赖宥豪;李怀安
分类号
H01L29/78;H01L21/336
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址
桃园县八德市和平路1127号
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