发明名称 双态触变记忆体丛发
摘要 本发明系揭示一种用于双态触变记忆体之控制器(105),其藉由读取该双态触变记忆体(103)中之一群组位元,及比较该丛发之各收到资料字组与该群组之一部分,以判定将触变哪些单元以使该丛发写入之资料输入该双态触变记忆体,而执行数个丛发写入。在一范例中,该双态触变记忆体包括磁阻式随机存取记忆体(MRAM),其具有使用多个自由磁性层之数个单元,其当受到沿着二方向之一连串磁性脉波时会在二个状态之间触变。因执行一读取以用于该丛发之一群组资料,因此减少执行该丛发写入所需时间。
申请公布号 TWI417895 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW094147046 申请日期 2005.12.28
申请人 艾尔斯宾科技公司 美国 发明人 约瑟夫J 拿哈斯;汤玛斯W 安德烈;奇特拉K 苏拉曼尼恩
分类号 G11C7/10;G11C11/00 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国
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