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发明名称
处理核心基板之空腔的方法
摘要
本发明揭示一种处理核心基板之空腔的方法。根据本发明一实施例之处理核心基板之空腔的方法包括以下步骤:形成一第一处理区域于一核心基板之一表面上,该第一处理区域系以一电路图型分界;形成一第二处理区域于该核心基板之另一表面上,该第二处理区域系以一电路图型分界:及透过从该核心基板之该表面移除整个该第一处理区域,处理一空腔。
申请公布号
TWI418272
申请公布日期
2013.12.01
申请号
TW099124561
申请日期
2010.07.26
申请人
三星电机股份有限公司 南韩
发明人
郑珍守;李斗焕;朴华仙;李在杰;郑栗教
分类号
H05K3/00
主分类号
H05K3/00
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址
南韩
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