发明名称 处理核心基板之空腔的方法
摘要 本发明揭示一种处理核心基板之空腔的方法。根据本发明一实施例之处理核心基板之空腔的方法包括以下步骤:形成一第一处理区域于一核心基板之一表面上,该第一处理区域系以一电路图型分界;形成一第二处理区域于该核心基板之另一表面上,该第二处理区域系以一电路图型分界:及透过从该核心基板之该表面移除整个该第一处理区域,处理一空腔。
申请公布号 TWI418272 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW099124561 申请日期 2010.07.26
申请人 三星电机股份有限公司 南韩 发明人 郑珍守;李斗焕;朴华仙;李在杰;郑栗教
分类号 H05K3/00 主分类号 H05K3/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 南韩