发明名称 薄膜电晶体
摘要 一种薄膜电晶体,配置于一基板上。薄膜电晶体包括一通道层、一介电层、一源极与一汲极、一闸极以及一闸绝缘层。介电层配置于通道层上,其中通道层与介电层中具有至少二贯孔,且各贯孔贯穿通道层与介电层。源极与汲极至少分别填入贯孔,使源极与汲极位于通道层之相对两侧及通道层之相对两侧上方,且源极与汲极的杨氏系数小于通道层的杨氏系数。闸极位于通道层下方。闸绝缘层配置于闸极与通道层之间。
申请公布号 TWI418039 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW099134791 申请日期 2010.10.12
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 杜佳勋;胡克龙
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号