发明名称 |
薄膜电晶体 |
摘要 |
一种薄膜电晶体,配置于一基板上。薄膜电晶体包括一通道层、一介电层、一源极与一汲极、一闸极以及一闸绝缘层。介电层配置于通道层上,其中通道层与介电层中具有至少二贯孔,且各贯孔贯穿通道层与介电层。源极与汲极至少分别填入贯孔,使源极与汲极位于通道层之相对两侧及通道层之相对两侧上方,且源极与汲极的杨氏系数小于通道层的杨氏系数。闸极位于通道层下方。闸绝缘层配置于闸极与通道层之间。 |
申请公布号 |
TWI418039 |
申请公布日期 |
2013.12.01 |
申请号 |
TW099134791 |
申请日期 |
2010.10.12 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
杜佳勋;胡克龙 |
分类号 |
H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |