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Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat (4) eines ersten Leitungstyps, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche aufweist, die einander gegenüberliegen, einem Anodenabschnitt (8, 10) eines zweiten Leitungstyps, der an die erste Hauptfläche des Halbleitersubstrats (4) angrenzt, einem Kathodenabschnitt (12, 16) des ersten Leitungstyps, der an die zweite Hauptfläche des Halbleitersubstrats (4) angrenzt, und einer Schicht mit stufenförmiger Dotierung (10, 16), die zumindest an dem Anodenabschnitt (8, 10) oder dem Kathodenabschnitt (12, 16) bereitgestellt ist durch Einbringen einer Dotierung eines entsprechenden vorbestimmten Leitungstyps von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (4) aus bis zu einer ersten Tiefe, um einen ersten Bereich des Halbleitersubstrats (4) bereitzustellen, in den die Dotierung des vorbestimmten Leitungstyps eingebracht ist, und durch Schmelzen eines zweiten vorbestimmten Bereichs (R) mit einer zweiten Tiefe, die größer als die erste Tiefe ist und den ersten Bereich enthält, um die Konzentration der Dotierung des vorbestimmten Leitungstyps von der Oberfläche aus bis zu der zweiten Tiefe hin gleichmäßig zu verteilen, zum Bilden eines stufenförmigen Dotierungskonzentrationsprofils.
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