| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板及显示器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示器，用以避免半导体有源层受到光照影响而导致薄膜晶体管产生漏电流的问题。所述薄膜晶体管包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，并且该遮光板位于半导体有源层的入射光侧，用于阻挡入射光对半导体有源层的照射。还提供一种阵列基板包括上述薄膜晶体管，以及一种显示器包括上述的阵列基板。 | ||
| 申请公布号 | CN203312302U | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201320386899.6 | 申请日期 | 2013.07.01 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 阎长江;蒋晓纬;姜晓辉;谢振宇;陈旭 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，所述遮光板位于半导体有源层的入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||