| 发明名称 | 半导体装置以及使用它的电力变换装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种半导体装置以及使用它的电力变换装置，能够保持低损失和高耐压，同时能够提高接通期间中的dv/dt的基于栅极驱动电路的控制性。为解决上述课题，在宽度宽的沟槽(423)的侧壁上设置栅极(401)，由此，因为栅极(401)被栅极绝缘膜(402)和成为层间膜的厚的绝缘膜(403)覆盖，所以栅极的寄生电容小，而且没有浮动p层，因此栅极的电位不变动，能够提高dv/dt的控制性，能够同时兼顾低损失和低噪声。 | ||
| 申请公布号 | CN102136490B | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201010580092.7 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 渡边聪;森睦宏;新井大夏 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H02M7/48(2007.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;郭凤麟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有：第一导电型的第一半导体层；在该第一半导体层的表面附近形成的第二导电型的第二半导体层；与所述第一半导体层邻接，在与所述第二半导体层相反一侧的表面附近形成的第二导电型的第三半导体层；在该第三半导体层的上部选择性地设置的第一导电型的第四半导体层；贯穿该第四半导体层和所述第三半导体层到达所述第一半导体层的沟槽；沿该沟槽的内壁设置的栅极绝缘层；在所述沟槽内设置的绝缘层；在所述栅极绝缘层的内侧空间中填充的第一导电层；以及设置在所述绝缘层的表面上的第二导电层，所述半导体装置的特征在于，所述第一导电层具有在所述沟槽内隔着所述绝缘层和第二导电层而被分割的剖面结构；比不形成所述沟槽的区域的宽度b宽地形成所述沟槽的宽度a，比所述栅极绝缘层厚地形成所述绝缘层，比所述半导体装置的周边区域的绝缘层薄地形成所述半导体装置的主动区域的绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||