红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法

摘要

本发明公开了一种红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法，该铟柱端面整平的特征是：下刀定位，通过调节旋钮推动上下移动导轨微调下刀，刀口下落到芯片光刻胶的表面，锁住锁定钮，以及平移芯片，旋动平台调节旋钮带动平台移动导轨链动芯片夹具平台及芯片一起平移。本发明的最大优点是：芯片平移及刀口的刮蹭铟柱端面平整、光亮、均匀性好，铟柱直径在10～12微米，中心距为6～10微米，铟柱高度可达8微米。

主权项

一种红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法，其特征在于包括以下步骤：首先，将待处理的芯片（7）安放在夹具平台（5）上，下刀定位，通过微米量级可调的调节旋钮（8）推动上下移动导轨（4）微调下刀（9），刀口下落到芯片光刻胶（10）的表面，锁住锁定钮（11），旋动平台调节旋钮（12）带动平台移动导轨（3）链动芯片夹具平台（5）及芯片（7）一起平移，得到芯片上的铟柱端面（13）；然后将芯片取下，浸没在10％HNO3中静置1分钟修除铟柱茸边，然后在流动的去离子水中冲洗3分钟，氮气吹干；最后对芯片进行去胶处理：倒入2/3杯丙酮溶液，芯片置于其中轻微晃动，光刻胶溶解即止，再倒入干净的丙酮、乙醇溶液过洗，露出整平后的铟柱体。