发明名称 可移除的间隔物
摘要 提供形成半导体装置的方法。在基底的表面上形成闸极堆叠。提供用于在闸极堆叠的侧边上形成聚合物间隔物的复数个工作循环,其中,各别工作循环包括:提供沈积阶段,在聚合物间隔物的侧边上及基底的表面上沈积材料;以及提供清洁阶段,移除基底的表面上的聚合物及使沈积的材料的轮廓成形。使用聚合物间隔物作为掺杂剂掩罩,将掺杂剂植入基底。移除聚合物间隔物。
申请公布号 TWI416666 申请公布日期 2013.11.21
申请号 TW096140798 申请日期 2007.10.30
申请人 泛林股份有限公司 美国 发明人 金知洙;柯南 江;邱泰宪;史 沙加地;麦克 高斯
分类号 H01L21/8238;H01L21/28 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 美国