| 发明名称 | 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于在蚀刻溶液中将高度掺杂的硅层进行湿化学蚀刻的方法。根据本发明，为了能够均匀地进行蚀刻，使用含HF的蚀刻溶液作为蚀刻溶液，所述蚀刻溶液含有至少一种选自过二硫酸盐、过一硫酸盐和过氧化氢的氧化剂。 | ||
| 申请公布号 | CN103403875A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201180053238.5 | 申请日期 | 2011.09.02 |
| 申请人 | 肖特太阳能股份公司 | 发明人 | A.拉霍维奇;B.舒姆;K.瓦斯 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C09K13/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 一种用于在蚀刻溶液中将高度掺杂的硅层进行湿化学反向蚀刻的方法，其中所述硅层具有的掺杂剂浓度为>1018原子/cm3，特别是>1019原子/cm3，和所述高度掺杂的硅层是晶体太阳能电池发射体的表面区域，其特征在于使用含HF的蚀刻溶液作为蚀刻溶液对发射体的表面区域进行反向蚀刻，所述蚀刻溶液含有至少一种选自过二硫酸盐、过一硫酸盐和过氧化氢的氧化剂。 | ||
| 地址 | 德国美因茨 | ||