集成电路元件与双极结晶体管

摘要

本发明一实施例提供一种集成电路元件与双极结晶体管。集成电路元件包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于半导体基板上，鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，基极部位于集极部与射极部之间，其中：集极部为一第一掺杂区，第一掺杂区包括一第一型掺杂物；射极部为一第二掺杂区，第二掺杂区包括第一型掺杂物；以及基极部为一第三掺杂区，第三掺杂区包括一与第一型掺杂物相反的第二型掺杂物；以及一栅极结构，配置于鳍状结构的基极部上。本发明实施例能够提高集成电路元件的电流增益，并且特别适合用于系统整合芯片技术。

主权项

一种集成电路元件，包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于该半导体基板上，该鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，该基极部位于该集极部与该射极部之间，其中：该集极部为一第一掺杂区，该第一掺杂区包括一第一型掺杂物，该集极部耦接一第一端子，以对该集极部施加电偏压；该射极部为一第二掺杂区，该第二掺杂区包括该第一型掺杂物，该射极部耦接一第二端子，以对该射极部施加电偏压；以及该基极部为一第三掺杂区，该第三掺杂区包括一与该第一型掺杂物相反的第二型掺杂物，该基极部耦接一第三端子，以对该基极部施加电偏压；以及一栅极结构，配置于该鳍状结构的该基极部上，该栅极结构耦接一第四端子，以对该栅极结构施加电偏压，以使该栅极结构控制一通过该基极部的电流路径，其中该鳍状结构的该基极部包括一顶面、多个侧壁、与一底面，所述多个侧壁与该顶面交叉，所述多个侧壁与该底面交叉，以及位于该基极部上的该栅极结构包括一配置于该基极部的该顶面上的部分以及一配置于该基极部的该底面上的部分。