发明名称 一种电子镇流器的自启动电路
摘要 本发明公开了一种基于电子镇流器功率因数校正(Power Factor Correction)电路的自启动电路(Starter Circuit)。该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(4)、下拉单元(5)所组成,该电路仅在电子镇流器刚开始工作或电路出现异常时有效,使PFC电路从上电状态或异常状态转换到正常工作状态。本发明的自启动电路可调节充放电单元中管子尺寸(宽长比W/L),控制本身电路的输出,进而完成当芯片开始上电时或者芯片工作不正常时,电子整流器不能正常开启开关功率管的缺陷,可以更好的保护电路。
申请公布号 CN102510649B 申请公布日期 2013.11.20
申请号 CN201110336129.6 申请日期 2011.10.28
申请人 北京工业大学 发明人 谢雪松;彭振宇;张小玲;齐浩淳;佘硕杰;杨娟;郭敏;吕长志
分类号 H05B41/295(2006.01)I 主分类号 H05B41/295(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 吴荫芳
主权项 一种电子镇流器的自启动电路,该电路由电流偏置单元1、或非门单元2、充放电单元3、反相器单元4、下拉单元5所组成,其特征在于: 所述电流偏置单元1有两个支路,支路一由PMOS管M0和NMOS管M2组成,M0的栅极G连接外接的偏置电压Vbp,其漏极D则连接NMOS管M2的栅极G、漏极D;支路二由PMOS管M1和NMOS管M3组成,PMOS管M1的栅极G与漏极D连接,并与NMOS管M3的漏极D连接;PMOS管M0和PMOS管M1的源极S均接电路的最高电位Vdd!;NMOS管M2和NMOS管M3的源极S与地连接,其栅极G则一起连接至NMOS管M2的漏极D; 所述或非门单元2由两输入端或非门I0构成,其两输入端一端接电子镇流器全局的使能信号En,另一端接电子镇流器内部的RS触发器单元的输出端Q^; 所述充放电单元3有两个支 路,支 路一由PMOS管M4和NMOS管M7组成,PMOS管M4的漏极D与NMOS管M7的漏极D、电容C0的一端连接;支 路二由PMOS管M5和NMOS管M8组成,PMOS管M5的漏极D与NMOS管M8的漏极D连接;PMOS管M4和PMOS管M5的源极S均接电路的最高点位Vdd!;PMOS管M4的栅极G与所述PMOS管M1的栅极G连接;NMOS管M7的栅极G与所述或非门I0输出连接;PMOS管M5的栅极G与电容C0的一端和NMOS管M7的漏极D连接;NMOS管M8的栅极G与所述NMOS管M2的栅极G、漏极D连接;PMOS管M7和PMOS管M8的源极S、电容C0的另一端均接地; 所述反相器单元4由PMOS管M6和NMOS管M9组成,PMOS管M6和NMOS管M9的栅极G与PMOS管M5和NMOS管M8的漏极D连接;PMOS管M6的源极S接电路的最高电 位Vdd!;NMOS管M9的源极S与地连接; 所述下拉单元5由NMOS管M10构成,NMOS管M10的栅极G与所述或非门I0输出连接;NMOS管M10的漏极D与所述PMOS管M6和NMOS管M9的漏极D连接构成启动电路的输出端;NMOS管M10的源极S与地连接。
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
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