| 发明名称 | 氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103403842A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201280010663.0 | 申请日期 | 2012.08.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 崔成伯;横川俊哉;井上彰;山田笃志 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/04(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L33/16(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘文海 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体层生长用结构，其中，具备：以m面为生长面的蓝宝石基板；在所述蓝宝石基板的所述生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在所述多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为所述蓝宝石基板的m面，所述多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，所述多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与所述蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||