| 发明名称 | TiO<sub>2</sub>/SnO<sub>2</sub>复合纳米棒电阻开关的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。本发明制备的TiO2/SnO2复合纳米棒阵列结构的电阻开关能够实现较好的室温电阻开关特性，并且在低温下有更大的电阻开关效应，而且循环稳定性良好，能够用于制备电阻开关式非挥发性存储器的原始模型。 | ||
| 申请公布号 | CN103400937A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201310351613.5 | 申请日期 | 2013.08.13 |
| 申请人 | 西南大学 | 发明人 | 李长明;孙柏;谷爽 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人 | 赵荣之 |
| 主权项 | 一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。 | ||
| 地址 | 400715 重庆市北碚区天生路1号 | ||