发明名称 |
一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法。该方法基于射频磁控溅射,采用复合结构生长Cd1-xZnxTe复合薄膜。通过调节沉积的Zn膜的厚度,经过快速退火,使Cd、Zn和Te晶粒相互扩散,从而达到增加Cd1-xZnxTe薄膜中Zn含量的目的。采用本发明的方法制备的Cd1-xZnxTe薄膜均匀性好,表面平整度高,结晶性好,晶粒取向度高,结构致密,薄膜组分可控,易于制备高禁带宽度、大面积高质量的Cd1-xZnxTe薄膜。 |
申请公布号 |
CN102492927B |
申请公布日期 |
2013.11.20 |
申请号 |
CN201110404998.8 |
申请日期 |
2011.12.08 |
申请人 |
上海太阳能电池研究与发展中心 |
发明人 |
褚君浩;曹鸿;王善力;江锦春;邬云骅;潘健亮;张传军;葛杰 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法,其特征在于步骤如下:A.基片清洗清洗工艺过程为将基片通过有机溶剂丙酮或酒精→去离子水→盐酸→去离子水→在超净环境下氮气吹干;B.Cd1‑xZnxTe复合薄膜的生长将基片固定在磁控溅射腔室的基片台上,将Cd1‑xZnxTe靶,其组分x为0.04和Zn靶安装在各自的靶枪上,将溅射腔真空抽至2.9×10‑3Pa,然后在基片上依次生长Cd1‑xZnxTe/Zn/Cd1‑xZnxTe/Zn薄膜,其厚度依次控制在100‑1000nm/20‑100nm/200‑2000nm/20‑1000nm;或者在基片上依次生长Zn/Cd1‑xZnxTe/Zn/Cd1‑xZnxTe/Zn薄膜,其厚度依次控制在10‑50nm/100‑1000nm/20‑100nm/200‑2000nm/20‑1000nm;Cd1‑xZnxTe薄膜的磁控溅射参数设定为:溅射功率20‑50W,溅射气体为高纯Ar气,溅射气压为2.0‑3.8Pa,基片温度为298‑673K;Zn薄膜的磁控溅射参数设定为:溅射功率30‑50W,溅射气体为高纯Ar气,溅射气压为1.0‑2.0Pa,基片温度为298‑673K;C.将上述生长好的复合结构薄膜放入快速退火炉中,抽真空至10Pa,通过调节针孔阀,控制通入的高纯空气的流量,使快速退火炉内的压强为7.5×104Pa,退火温度473‑673K,退火时间20‑40min,自然冷却到室温取出。 |
地址 |
201201 上海市浦东龙东大道6101号8栋1楼 |