| 发明名称 | 一种GaN基发光二极管外延片用衬底 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有多个图形凸起（11），图形凸起（11）上包覆有图形凸起掩膜，各图形凸起（11）之间的间隔为1μm，各图形凸起（11）竖截面与蓝宝石衬底层（1）接触长度为2μm，各图形凸起（11）的高度为1.6μm，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差和发光效率低的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN203300687U | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201320355290.2 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 发明人 | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人 | 谢观素 |
| 主权项 | 一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有多个图形凸起（11），图形凸起（11）上包覆有图形凸起掩膜，各图形凸起（11）之间的间隔为1μm，各图形凸起（11）竖截面与蓝宝石衬底层（1）接触长度为2μm，各图形凸起（11）的高度为1.6μm。 | ||
| 地址 | 223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号 | ||