一种检测浅沟槽隔离缺陷的方法

摘要

本发明提出一种检测浅沟槽隔离缺陷的方法，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积垫氧化层；在所述垫氧化层上沉积界面层；在所述界面层上沉积二氧化硅氧化层；对上述结构进行检测，其中，在所述垫氧化层上沉积界面层的步骤采用原子层沉积方法。本发明提出的检测浅沟槽隔离缺陷的方法，能够有效检测出浅沟槽隔离的缺陷，并缩短高密度等离子体化学气相淀积填充浅沟槽的工艺调整周期。

主权项

一种检测浅沟槽隔离缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积垫氧化层，所述垫氧化层为二氧化硅层；在所述垫氧化层上沉积界面层，所述界面层为Al2O3，TiN，HfO，或ZrO层；在所述界面层上沉积二氧化硅氧化层，所述二氧化硅氧化层采用高密度等离子体化学气相沉积方法形成；对上述结构进行检测，所述检测步骤采用透射电子显微镜进行检测；其中，在所述垫氧化层上沉积界面层的步骤采用原子层沉积方法。