| 发明名称 | P通道闪存结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种P通道闪存结构包括N型掺杂基底、穿隧氧化层、氮化物栅极、栅间介电层、控制栅极、第一P型掺杂区以及第二P型掺杂区。该穿隧氧化层设置于N型掺杂基底上，该氮化物栅极设置于穿隧氧化层上，该栅间介电层设置于氮化物栅极上，该控制栅极设置于栅间介电层上，该第一P型掺杂区设置于N型掺杂基底中，并用以作为P通道闪存结构的源极，而该第二P型掺杂区设置于N型掺杂基底中，并用以作为P通道闪存结构的漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN103390636A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210195468.1 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 常忆科技股份有限公司 | 发明人 | 姜淳远 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种P通道闪存结构，包括：N型掺杂基底；穿隧氧化层，设置于该N型掺杂基底上；氮化物栅极，设置于该穿隧氧化层上；栅间介电层，设置于该氮化物栅极上；控制栅极，设置于该栅间介电层上；第一P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的一侧，并用以作为该P通道闪存结构的源极；以及第二P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的另一侧，并用以作为该P通道闪存结构的漏极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市工业东四路26号1、2楼 | ||