| 发明名称 | 埋入式电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据实施方案的电容器包括：金属衬底、在所述金属衬底上形成的金属氧化物膜、在所述金属氧化物膜的第一表面上形成的第一电极层、以及在所述金属氧化物膜的第二表面上形成的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN102187414B | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN200980140939.5 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 崔宰凤;南相赫 |
| 分类号 | H01G9/045(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/045(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种电容器，包括：金属衬底；在所述金属衬底中的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层部分地形成于所述金属衬底中，并且暴露于所述金属衬底的第一和第二表面；在所述金属氧化物层的第一表面上的第一电极层；和在所述金属氧化物层的第二表面上的第二电极层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||