发明名称 | 半导体存储装置和用于控制半导体存储装置的方法 | ||
摘要 | 基于对于闪存的每个存储区域的劣化程度和读取频率,对于每个存储区域计算可靠性维持期;并且基于所计算的可靠性维持期,在每个存储区域上以计划的方式执行刷新。配置一种半导体存储装置100A,使得闪存120至128和存储器控制器110连接,并且闪存120至128包括多个作为存储区域的区块;并且存储器控制器110对于多个区块的每一个,管理区块的劣化程度和读取频率;基于所管理的区块的劣化程度和读取频率,获得存储在区块中的数据的可靠性维持期;并且基于所获得的可靠性维持期,通过将存储在区块中的数据新存储在另一个区块中,执行用于纠正有关数据的故障比特的刷新。 | ||
申请公布号 | CN103392208A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
申请号 | CN201180068074.3 | 申请日期 | 2011.04.28 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 铃木彬史;常广隆司 |
分类号 | G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
主权项 | 一种半导体存储装置,包括用于提供存储区域的闪存,以及用于控制从所述闪存读取数据或者写入数据至所述闪存的存储器控制器,其中所述闪存的所述存储区域划分为多个区块进行管理,以及其中所述存储器控制器对于每个区块管理所述区块的劣化程度和读取频率;基于管理的所述区块的劣化程度和读取频率,获得存储在所述区块中的数据的可靠性维持期;并且基于获得的所述可靠性维持期执行刷新,所述刷新用于将存储在所述区块中的所述数据新存储在另一个区块中。 | ||
地址 | 日本东京都 |