绝缘栅双极型晶体管

摘要

本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管具有集电极、发射极和被配置在集电极与发射极之间的半导体主体，其中，该半导体主体包括：第一基区，具有第一导电型；源区，具有与第一导电型不同的第二导电型并且与第一基区形成第一pn结；以及至少一个沟槽，其填充有栅极并且具有第一宽度的第一沟槽部和第二宽度的第二沟槽部，第二宽度不同于第一宽度，其中，发射极包括第一金属化层和接触部，该接触部与半导体主体接触。其中，第一金属化层的厚度大于接触部在与其延伸方向垂直的方向上的宽度。因此，能够改善绝缘栅双极型晶体管的热传导特性，即，改善散热特性，从而能够最小化其自发热效应的影响。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管（2），具有集电极（21）、发射极（23）和被配置在所述集电极（21）与所述发射极（23）之间的半导体主体（22）， 其中，所述半导体主体（22）包括： 第一基区（224），具有第一导电型； 源区（225），具有与所述第一导电型不同的第二导电型并且与所述第一基区（224）形成第一pn结；以及 至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽填充有栅极（226）并且其中所述至少一个沟槽具有第一宽度的第一沟槽部（261）和第二宽度的第二沟槽部（262），所述第二宽度不同于所述第一宽度， 其中，所述发射极（23）包括第一金属化层（231）和接触部（232），所述接触部（232）与所述半导体主体（22）接触，其特征在于， 所述第一金属化层（231）的厚度d大于所述接触部（232）在与其延伸方向垂直的方向上的宽度w。