发明名称 | 用于形成硬掩膜层的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于形成硬掩膜层的方法,包括:提供衬底,在衬底上预先形成有具有图案的光刻胶层;在衬底的表面以及光刻胶层的表面和侧壁上扩布RELACS材料层;执行热处理,以在RELACS材料层与光刻胶之间的混合边界处形成非水溶性材料层;执行回蚀刻,去除位于光刻胶层的顶表面上方的RELACS材料层和非水溶性材料层,以至少露出光刻胶层的顶表面,从而仅在光刻胶层的侧壁上保留非水溶性材料层中的一部分;以及去除光刻胶层和RELACS材料层,仅保留非水溶性材料层的位于光刻胶层的侧壁上的部分,作为硬掩膜层。该方法克服了采用PR掩膜或者高度不一致的硬掩膜而存在的问题从而能够提高后续形成的图案的CD均一性,且该方法可与传统工艺兼容从而能够降低成本。 | ||
申请公布号 | CN103390544A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
申请号 | CN201210147052.2 | 申请日期 | 2012.05.11 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郝静安;胡华勇 |
分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
主权项 | 一种用于形成硬掩膜层的方法,包括:提供衬底,在所述衬底上预先形成有具有图案的光刻胶层;在所述衬底的表面以及所述光刻胶层的表面和侧壁上扩布化学收缩辅助分辨率增强光刻材料层;执行热处理,以在所述化学收缩辅助分辨率增强光刻材料层与所述光刻胶之间的混合边界处形成非水溶性材料层;执行回蚀刻,去除位于所述光刻胶层的顶表面上方的所述化学收缩辅助分辨率增强光刻材料层和所述非水溶性材料层,以至少露出所述光刻胶层的顶表面,从而仅在所述光刻胶层的侧壁上保留所述非水溶性材料层中的一部分;以及去除所述光刻胶层和所述化学收缩辅助分辨率增强光刻材料层,仅保留所述非水溶性材料层的位于所述光刻胶层的侧壁上的部分,作为所述硬掩膜层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |