发明名称 |
一种基于SRAM的矩阵转置的装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于SRAM的矩阵转置的装置及方法,装置包括地址译码模块、读写总线、对角线读控制模块及n个矩阵转置存储器本体。每个矩阵转置存储器本体为由n行、n列矩阵存储模块连接而成,位于自左上到右下对角线上的为14管SRAM存储模块,对角线以外的为12管SRAM存储模块。14管SRAM存储模块对矩阵中处于对角线上的元素进行访问,12管SRAM存储模块对矩阵中处于对角线以外的元素进行访问;方法则根据输入矩阵的类型及访问模式的不同进行相应的单字、行、列或对角线访问,完成转置。本发明具有实现方法简单、结构简单紧凑、成本低廉、转置速度快、高效、灵活且具功能多样的优点。 |
申请公布号 |
CN103389967A |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201310367449.7 |
申请日期 |
2013.08.21 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
胡封林;郭阳;刘仲;吴虎成;李振涛;罗恒;余再祥;亓磊;申晖 |
分类号 |
G06F17/16(2006.01)I;G06F13/16(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/16(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所 43008 |
代理人 |
周长清 |
主权项 |
一种基于SRAM的矩阵转置的装置,其特征在于:包括地址译码模块、读写总线、对角线读控制模块(6)及n个矩阵转置存储器本体(1);每个矩阵转置存储器本体(1)为由n行、n列矩阵存储模块连接而成的矩阵结构,在每个所述矩阵转置存储器本体(1)的矩阵结构中,位于自左上到右下对角线上的矩阵存储模块均为14管SRAM存储模块(11),对角线以外的矩阵存储模块均为12管SRAM存储模块(12);所述14管SRAM存储模块(11)用于对待转置矩阵中处于对角线上的元素进行访问;所述12管SRAM存储模块(12)用于对待转置矩阵中处于对角线以外的元素进行访问;所述对角线读控制模块(6)与矩阵转置存储器本体(1)连接,用来对对角线地址进行译码、控制对待转置矩阵中处于对角线上元素进行的读操作。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院 |