| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：形成在基板上且包括沟槽的层间绝缘膜；形成在沟槽中的栅绝缘膜；功函数调整膜，沿着沟槽的侧壁和底表面形成在沟槽中的栅绝缘膜上，并包括相对于沟槽的侧壁具有锐角的倾斜面；以及金属栅图案，形成在沟槽中的功函数调整膜上以填充沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN103390638A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201310170328.3 | 申请日期 | 2013.05.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金柱然;徐光儒 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板；在所述基板上的包括沟槽的层间绝缘膜；栅绝缘膜，在所述沟槽中；功函数调整膜，在所述沟槽中的所述栅绝缘膜上并且沿着所述沟槽的第一侧壁、第二侧壁和底表面，所述功函数调整膜包括相对于所述沟槽的所述第一侧壁形成锐角的倾斜面；以及金属栅图案，在所述功函数调整膜上，基本上填充所述沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||