低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的LED芯片

摘要

本发明公开了一种低损伤、高致密性膜的制备方法及具有该膜的LED芯片，包括：a）、在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；b）、向反应腔体中通入N2O气体，然后向反应腔体中通入硅烷气体，预热基片沉积得到厚度为1-50nm的二氧化硅膜；c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体；d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm，最终沉积得到低损伤、高致密性膜；本发明有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，本发明制备得到的低损伤、高致密性膜可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。

主权项

一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，包括：a）、将基片置于PECVD沉积仪中经抽真空处理的反应腔体中，在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；b）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为1‑50nm的二氧化硅膜；c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50‑2000nm；e）、在预热基片上沉积得到低损伤、高致密性膜。