| 发明名称 | 在制造半导体器件过程中去除残留物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103390540A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210382915.4 | 申请日期 | 2012.10.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 巫俊昌;陈俊璋;吴权陵;莫忘本;谢弘璋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件；在所述半导体衬底上施加化学材料涂层，其中，所述化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间；以及清洗所述半导体衬底，其中，清洗去除了所述半导体衬底上的所述化学材料涂层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||